氮化后退火――一种提高超薄热氮化SiO_2膜性能的有效方法

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【文章名称】：氮化后退火――一种提高超薄热氮化SiO_2膜性能的有效方法.pdf
【发表期刊】：《半导体学报》 1988年4期       
【作者】：清华大学微电子学研究所 　吾立峰，熊大菁，顾祖毅，等
【摘要】：本文对超薄热氮化SiO_2膜(～100A)进行了研究,提出一种氮化后退火的新工艺,
所得薄膜有很好的抗氧化特性,和SiO_2薄膜相比,其固定电荷及界面态密度相当,在高电场
应力下膜中产生的正电荷及电子陷阱较少,较好的电击穿特性,抗辐射性能有很大的改善,
因而,是一种性能优良的超薄介质膜。
【关键词】：抗氧化；击穿；电子陷阱；辐照；氮化；氮化后退火；正电荷；应力
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