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[求助] 晶界与相界

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该用户从未签到

发表于 2009-9-4 13:51:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
北京中仪天信科技有限公司
为什么说晶界与相界多,都能提高硬度啊!!!!!

该用户从未签到

发表于 2009-9-4 16:24:51 | 显示全部楼层
看来你真是“初出茅庐”啊,哪个说相界也能提高强度?建议你先弄清什么是晶界,什么是相界等基本概念再提问题。

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[LV.3]偶尔看看II

发表于 2009-9-5 00:28:58 | 显示全部楼层
硬度的本质是材料塑性变形的抗力,材料塑性变形的本质则是位错沿滑移面的的移动。所以,只要是能够阻碍位错移动的因素都能够提高材料的硬度。晶界与相界面的增多,能够增加位错移动的阻力,故能提高材料的硬度。这在金属学原理里是有描述的。
   晶界增多亦即晶粒细化,提高强度(硬度)的方式称细晶强化。
   相界面增多亦即第二相细化,提高强度(硬度)的方式称第二相析出强化。例如:屈氏体比索氏体和珠光体硬度高,就是前者的渗碳体片比后两者的薄,从而相界面增多的缘故;而高速钢二次硬化后在更高的温度回火硬度会再度下降,其机理就是弥散析出导致二次硬化的第二相颗粒,在更高的温度下聚集长大,相界面减少的缘故。

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该用户从未签到

发表于 2009-9-5 10:00:34 | 显示全部楼层
晶界是结构相同而取向不同晶体之间的界面。在晶界面上,原子排列从一个取向过渡到另一个取向,故晶界处原子排列处于过渡状态。 晶粒与晶粒之间的接触界面叫做晶界。
相界:由结构不同或结构相同而点阵参数不同的两块晶体相交接而形成的界面。沉淀相与基体间、外延层与衬底间、马氏体与母相间的界面均为相界。

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该用户从未签到

 楼主| 发表于 2009-9-5 11:24:37 | 显示全部楼层
2# 孤鸿踏雪
专家你好,
我在看金属学与热处理书中说到:相界增多,能起到阻碍位错运动,从而增加强度和硬度。就比如(索氏体比珠光体硬度高,)
但其中为什么就很模糊了。

还有为什么说晶界和相界上的缺陷比较多呢?位错密度是材料自身形成 还是材料在加工时形成的? 本帖最后由 初出茅庐 于 2009-9-5 12:11 编辑

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[LV.7]常住居民III

发表于 2009-9-5 14:31:20 | 显示全部楼层
在一本书里对珠光体机械性能有这样的论述:
片状珠光体机械性能,主要决定于珠光体片间距,片间距愈小,相界面愈多,塑性变形的抗力愈大,因而强度与硬度愈高。
球状珠光体机械性能则决定于渗碳体颗粒的粗细和分布状况,渗碳体颗粒愈细,相界面愈多,塑性变形的抗力愈大,因而强度与硬度愈高。
从这本书的论述看,相界面增多是能够提高强度的。

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该用户从未签到

 楼主| 发表于 2009-9-5 18:05:42 | 显示全部楼层
我就想知道相界增多 其能增加硬度和强度的内在原因是什么???

该用户从未签到

发表于 2009-9-7 11:45:35 | 显示全部楼层
看来大家都是专家啊,我是来学习的,我不做热处理,不过很想知道是怎么回事

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[LV.1]初来乍到

发表于 2009-9-12 21:33:22 | 显示全部楼层
楼主 NEWAGE老师讲解的已经够清楚明了了 而且你的问题有点极端了 就像你的签名一样 你现在就是在搞懂1+1为什么=2 不要迷失方向啊 难不成是考研?

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该用户从未签到

发表于 2009-9-12 22:26:23 | 显示全部楼层
5# 初出茅庐


其实三楼的说的很对,晶界与相界的增多主要是阻碍位错的滑移。晶界和相界面处缺陷比较多,塑性变形会引起位错的增殖,塑性在微观上来说就是位错滑移的过程,但是当位错移到晶界或相界处时就会被相界阻隔或与界面处的空位等缺陷形成柯氏气团从而钉扎住位错,另一方面当位错在滑移过程中,第二相颗粒也会阻碍其运动。。。。。从而在宏观上表现出了强度的增加。我说的也比较笼统,你想弄得更明白的话就多查阅一点相关的资料。

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该用户从未签到

发表于 2009-9-12 23:53:34 | 显示全部楼层
对主题帖作一补充.强度增加的同时.朔性.韧性也还同时增加.

该用户从未签到

发表于 2009-9-14 08:39:42 | 显示全部楼层
学习了!大家在这个帖子里,对晶粒和第二相的探讨比较详细,说到了根本上。这些都是学习的台阶,基础的根本。这就是细化晶粒的目地和原则。也是亚温淬火,预处理的理论基础。大家发帖虽字数不多,但字字是精华。尤其是同人NEWAGE。表示感谢!

该用户从未签到

发表于 2009-9-14 16:37:28 | 显示全部楼层
5# 初出茅庐
在材料成型的过程中,材料发生应变,会使位错增多,这也是加工硬化的原因。当然材料本身也会存在位错,
建议你看看材料科学基础

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[LV.1]初来乍到

发表于 2009-9-14 22:49:07 | 显示全部楼层
相界和晶界多了,位错在移动的过程中就要不段受阻,这是因为界面两侧滑移系不一样。
又因为变形都是靠位错的运动(滑移,孪生,扭折),故相界和晶界的增加会提高强度

该用户从未签到

发表于 2009-10-22 12:45:11 | 显示全部楼层
其实这个地方的位错多,造成位错能高

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[LV.1]初来乍到

发表于 2009-10-23 00:38:58 | 显示全部楼层
7# 初出茅庐


内在的原因,主要可以从材料内部的位错源开动, 位错运动受阻来解释,表现在技术方面如细晶强化, 弥散强化, 固溶强化等等,各种具体的理论细节,楼主可以参看材料强化理论方面的专业书籍。
我认为某种程度上,材料内部界面的增多,使得材料的固有缺陷(如位错)在统计意义上被“均匀化”了,不具有类似的“缺口效应”一样。
个人看法,欢迎指正。
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