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[讨论] 渗碳淬火如何通过工艺控制残余奥氏(斯)体的含量

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[LV.2]偶尔看看I

发表于 2011-4-14 06:47:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
北京中仪天信科技有限公司
本帖最后由 stigershu 于 2011-4-14 12:39 编辑

渗碳淬火如何通过工艺控制残余奥氏(斯)体的含量

该用户从未签到

发表于 2011-4-14 07:10:38 | 显示全部楼层
降低碳势,降低淬火温度,增加淬火保温时间,或用二次淬火,冷处理工科也可以

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[LV.2]偶尔看看I

发表于 2011-4-14 09:44:26 | 显示全部楼层
合理地设定碳势,不要过高,或合理的安排扩散,把表面过高的碳浓度扩散到内部,或渗碳后降温,奥氏体在降温时持碳能力下降,析出碳及合金,降低了奥氏体稳定性,这几样都会使残奥减少,合理调整以达到合适的残奥含量

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[LV.10]以坛为家III

发表于 2011-4-14 09:58:33 | 显示全部楼层
残奥的控制在工艺上主要注意这几点:
1:调整好强渗与扩散的时间比例。使得表层碳含量得以降低,降低过冷奥氏体的稳定性。
2:扩散的碳势设定的可以低一些,为了降低残奥可以设定在0.75-0.8
3:降低淬火温度,使得析出一部分碳化物,降低碳含量。降低过冷奥氏体的稳定性
4:延长淬火保温时间,同样是使得一部分的碳和一些合金元素析出,降低过冷奥氏体的稳定性。
5:采用渗碳后缓冷,再加热淬火工艺,可以降低残奥,同时细化了组织。
6:采用冷处理,使得未转化的残奥继续转变为M

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