离子束溅射制备Bi_2Te_3热电薄膜

ayumi193

【文章名称】：离子束溅射制备Bi_2Te_3 热电薄膜
【发表期刊】：《深圳大学学报》  2011年1期
【作者】： 深圳大学物理科学与技术学院   范 平, 郑壮豪, 梁广兴, 张东平, 蔡兴民
【摘要】：采用离子束溅射技术, 溅射不同面积比例的Bi/Te二元复合靶, 制备Bi_2Te_3 热电薄膜, 所制
备的薄膜B i:Te原子比接近2:3。 X射线衍射测量结果显示, 薄膜的主要衍射峰与Bi_2Te_3 标准衍射峰相同,
在( 015) 晶面上择优选向明显, 存在少量的Bi和[Bi,Te] 杂质峰. 霍尔系数测试及Seebeck系数测量
结果表明, 薄膜都为n型半导体薄膜, 电导率量级为10-5 Sm-1, 电学性能良好. 在不同条件下制备的薄膜
Seebeck系数最大值为- 168μVK- 1, 最小值为- 32μVK- 1. 其中, B i:Te 原子比为0.69, 退火温度为300
℃的薄膜功率因子最大, 达1.1X10-3Wm-1K-2.。
【关键词】：凝聚态物理; 离子束溅射; Bi_2Te_3 薄膜; 热电材料; 晶体结构; 电学性能; 热处理