真空渗碳有没有奥氏体晶粒长大倾向啊！

活在舞钢 · 发表于 2009-7-6 21:11:12

书上说真空渗碳时将渗碳温度由普通渗碳的920--930°C提高到1030--1050°C 有很多优越性但是没有提及有没有什么不足之处啊比如奥氏体晶粒长大倾向请各位同仁帮忙解释一下谢了！！！！

横笛吹雨 · 发表于 2009-7-6 23:49:11

肯定有，否则早提高到熔点以下的奥氏体上限温度了，这样渗碳速度会大增

不过，没干过真空渗碳，还真不知道这真空渗碳在控制晶粒长大方面有什么优势？按常规渗碳温度，这1030--1050°C也够高了，在这温度下奥氏体晶粒是什么命运呀？

ZMQ · 发表于 2009-7-31 22:14:19

那位可以指点

活在舞钢 · 发表于 2009-8-16 20:25:24

专家说的很好可是还是有点不明白哪位能指点一二啊

zhtxyang · 发表于 2009-8-18 13:34:16

不知道没接触过类似问题

jd-jl · 发表于 2009-8-20 22:32:27

温度过高，晶粒当然要出化。

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