调整匝比，电容，可控硅电源

杨文松111 · 发表于 2011-5-30 23:48:29

感应电源根据加热淬火面积，加热层深，调整匝比，电容，可控硅电源需要升高频率，匝比，电容怎没调整？

杨文松111 · 发表于 2011-5-30 23:54:07

我独立调整热处理工艺，由于可控硅和IGBT不同，调整遇到问题，请高手专家谈谈可控硅电源谐振调整规律经验？

热处理论坛藏龙卧虎，每次发帖，都有专家指点迷津，很受益的

yangxinshan · 发表于 2011-5-31 00:24:52

可控硅和IGBT电源调整方法是相同的，电容一般很少调整，因为变压器调整变比很方便，能够调整过来，如果只调变压器调整不过来，就需要再调整电容了，容抗和感抗相匹配能够得到比较好的功率因数，输出较大的功率，电压和电流比较低，否则，电压很高或电流很大，都容易损坏管子的。调整时注意中频电压和直流电压的比值1.2~1.3，注意电流不要太大，尽量小

杨文松111 · 发表于 2011-5-31 22:02:01

回复 3# yangxinshan

谢谢楼上高工指点，感觉很有道理，我想再深入问一下，减少匝比，功率增加还是减少，若果电流大，增大还是减少匝比才能降低电流？

lanxueren05 · 发表于 2011-6-13 20:54:57

谐振状态下
阻抗Z=U/I=L/RC
由此可知：
匝比增加也就是电感量加大时，阻抗Z=U/I加大，此时同样的电压下，由于电流减小，所以功率也减小
反之电容量增加时阻抗减小，同样的电压下，功率增加
另外，谐振频率F=1/2π开方LC，所以无论是减小匝比还是电容，频率均下降
另外对于谐振电路一般要求电流值越小越好
所以在负载匹配时
要综合考虑这几个问题
频率是前提，然后就是在满足功率的情况下尽可能要求电流小
这样解释不知能否回答楼主的问题

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