nmglczjg 发表于 2016-3-3 10:14:12

求助高频设备电源IGBT和MOSFET区别

求助各位专家，高频电源MOSFET和IGBT电源有什么区别么，硬化层深度要求0.4-1.3mm，哪个电源可以达到淬火要求啊？
谢谢专家

hejun098512 发表于 2016-3-7 21:45:23

看是什么工件，一般用IGBT就可以解决了。MOSFET高频电源现在做的很少，

nmglczjg 发表于 2016-3-8 13:11:33

hejun098512 发表于 2016-3-7 21:45
看是什么工件，一般用IGBT就可以解决了。MOSFET高频电源现在做的很少，

一个轮毂的内齿圈淬火，要求硬化层0.3-1.3mm，原材料是35钢调质的。

hejun098512 发表于 2016-3-8 17:07:45

nmglczjg 发表于 2016-3-8 13:11
一个轮毂的内齿圈淬火，要求硬化层0.3-1.3mm，原材料是35钢调质的。

用IGBT高频就可以的。这个工件是成熟技术。

nmglczjg 发表于 2016-3-9 09:53:03

hejun098512 发表于 2016-3-8 17:07
用IGBT高频就可以的。这个工件是成熟技术。

请帮我看下这个区域淬火，因为淬火区域最薄处只有3.2mm，会不会有烧透的可能
谢谢

hejun098512 发表于 2016-3-9 20:32:43

淬火层0.3~1.3没问题的

hejun098512 发表于 2016-3-9 20:37:04

nmglczjg 发表于 2016-3-9 09:53
请帮我看下这个区域淬火，因为淬火区域最薄处只有3.2mm，会不会有烧透的可能
谢谢

不会烧透，淬硬层0.3~1.3很好控制。
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