活在舞钢 发表于 2009-7-6 21:11:12

真空渗碳有没有奥氏体晶粒长大倾向啊 ！

书上说真空渗碳时将渗碳温度由普通渗碳的920--930°C提高到1030--1050°C 有很多优越性 但是没有提及有没有什么不足之处啊 比如奥氏体晶粒长大倾向 请各位同仁帮忙解释一下 谢了！！！！

横笛吹雨 发表于 2009-7-6 23:49:11

肯定有，否则早提高到熔点以下的奥氏体上限温度了，这样渗碳速度会大增:lol
不过，没干过真空渗碳，还真不知道这真空渗碳在控制晶粒长大方面有什么优势？按常规渗碳温度，这1030--1050°C也够高了，在这温度下奥氏体晶粒是什么命运呀？

ZMQ 发表于 2009-7-31 22:14:19

那位可以指点

活在舞钢 发表于 2009-8-16 20:25:24

回复 2# WJFU66 的帖子

专家说的很好 可是还是有点不明白 哪位能指点一二啊

zhtxyang 发表于 2009-8-18 13:34:16

不知道 没接触过类似问题

jd-jl 发表于 2009-8-20 22:32:27

温度过高，晶粒当然要出化。
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