快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究
【文章名称】：快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究【发表期刊】：《半导体学报》 1997年4期
【作者】：华南理工大学 冯文修， 陈蒲生
【摘要】：用卤素钨灯做辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜。研究了
不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布。研究结构表明，在较低的温度下（<900℃）氮化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰，当温度高于900℃时，
氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰。基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮
化超薄SiO2的微观机理。
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