rapid loop annealing
上下文：Little change in dislocation density was observed on annealing up to about 350℃ ; rapid loop annealing occured between 400℃ and 600℃ and examples of the pinching off of loops were frequently seen.
此文中的“rapid loop annealing”该如何翻译呢？
我自己的翻译：
350℃以下退火，错位密度几乎没变化，快速环退火出现在400℃与600℃之间，且环的收缩断裂现象频繁可见
本人非热处理专业出身，对有些术语不太了解，请各位大侠解惑。不甚感激！ rapid loop annealing中的loop是指“位错环”。
译文如下：
在约350℃以下温度退火，发现位错密度几乎没有改变；在400℃— 600℃这一温度区间退火，发现位错环迅速退火并经常出现位错环夹断的现象。 非常感谢陆丰的热心帮助。对于最后一段，我又做了思考，您看这样翻译如何？
“在400℃— 600℃这一温度区间退火，退火所引起的位错环迅速出现，并经常出现位错环夹断的现象。”
“loop annealing”我觉得翻译为:退火所引起（或产生）的位错环(dislocation loop)是不是更好些呢？
不知当否，请指正。
再次感谢！
[ 本帖最后由 xdhxx 于 2007-9-24 23:16 编辑 ] 翻译的基本原则是，要忠实于原文。原文没有的内容，本人不敢随便演义。 不是演义的问题，对于"loop annealing"的正确翻译，确实是值得推敲的。
例如另一段：
“Concerning △ρ it has been stated that there is no detectable resistivity change which can be associated with dislocation annealing.”
上文中的“△ρ”代表由于位错导致的合金电阻变化。
上文的翻译是不是应该这样？
“至于△ρ ，我们已经陈述过，不存在什么可探测到的、与退火所产生的位错相关的电阻率变化。”
此文中的 "dislocaiton annealing"是不是翻译为“退火产生的位错”更为准确，而不能翻译为“位错退火”呢？
同理，“loop annealing"的正确翻译是不是应为”退火所产生的位错环“？
再次感谢陆兄的指教，希望大家能继续讨论。
[ 本帖最后由 xdhxx 于 2007-9-25 15:48 编辑 ] 位错是晶体中的一种线缺陷，它是由切应力造成的。
你认为：“退火所产生的位错环”。我对这句话的理解是，退火造成了切应力，而切应力造成了位错环。
我想问，你怎样理解回复退火？
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